Be-doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties

  • Marcelo Rizzo Piton (Contributor)
  • Koivusalo, E. (Contributor)
  • Hakkarainen, T. (Contributor)
  • Soile Suomalainen (Contributor)
  • S. Souto (Contributor)
  • Helder V. A. Galeti (Contributor)
  • Lupo, D. (Contributor)
  • A. D. Rodrigues (Contributor)
  • Yara Galvao Gobato (Speaker)
  • Guina, M. (Contributor)

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

    Aikajaksoelok. 2018
    Tapahtuman otsikkoICPS 2018 - the 34th International Conference of the Physics of Semiconductors
    Tapahtuman tyyppiConference
    SijaintiMontpelier, RanskaNäytä kartalla
    Tunnustuksen arvoInternational