Self-catalyzed growth of GaAs Nanowires on Si Using Lithography-free Patterning: Ultimate Size Uniformity and Controllable Growth Direction

    Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

    Description

    Oral presentation
    Aikajakso5 syysk. 2018
    Tapahtuman otsikkoICMBE 2018 - the 20th International Conference on Molecular beam Epitaxy
    Tapahtuman tyyppiConference
    SijaintiShanghai, KiinaNäytä kartalla
    Tunnustuksen arvoInternational