Siirry päänavigointiin
Siirry hakuun
Siirry pääsisältöön
Tampereen yliopiston tutkimusportaali Etusivu
Tuki ja usein esitetyt kysymykset
Linkki avautuu uuteen välilehteen
English
Suomi
Hae sisältöä asiakkaalta Tampereen yliopiston tutkimusportaali
Etusivu
Profiilit
Tutkimustuotokset
Tutkimusyksiköt
Aktiviteetit
Tutkimusaineistot ja ohjelmistot
Tutkimusinfrastruktuurit
Lehtileikkeet
Palkinnot
Projektit
Jyoti Kandpal
Resurssisopimus
,
Sähkötekniikka
2026
2026
Tutkimustuotoksia vuodessa
Yleiskatsaus
Sormenjälki
Verkko
Tutkimustuotokset
(1)
Samanlaiset profiilit
(1)
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Jyoti Kandpal on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
1
Samanlaiset profiilit
Dielectric Material
Material Science
100%
Atomic Layer Annealing
Keyphrases
100%
Low Temperature Deposition
Keyphrases
100%
Capacitor
Material Science
75%
Density
Material Science
75%
Film
Material Science
75%
Permittivity
Material Science
75%
Capacitance
Material Science
50%
Tutkimustuotos
Tutkimustuotoksia vuodessa
2026
2026
2026
1
Artikkeli
Tutkimustuotoksia vuodessa
Tutkimustuotoksia vuodessa
Influence of In Situ Atomic Layer Annealing and Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Techniques for Low-Temperature Deposition of HfO2 High-κ Gate Dielectrics
Tewari, A.
,
Tukiainen, A.
,
Kandpal, J.
,
Mäntysalo, M.
&
Berger, P. R.
,
21 syysk. 2026
, (E-pub ahead of print)
julkaisussa:
ACS Applied Electronic Materials.
Tutkimustuotos
:
Artikkeli
›
Tieteellinen
›
vertaisarvioitu
Open access
Tiedosto
Dielectric Material
100%
Atomic Layer Annealing
100%
Low Temperature Deposition
100%
Density
75%
Film
75%
2
Lataukset (Pure)