33 W continuous output power semiconductor disk laser emitting at 1275 nm

Tomi Leinonen, Vladimir Iakovlev, Alexei Sirbu, Eli Kapon, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    15 Sitaatiot (Scopus)
    56 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    We demonstrate a semiconductor disk laser emitting at 1275nm, employing a wafer fused AlInGaAs/InP-AlAs/GaAs gain mirror. A built-in Au-reflector was used to reflect the pump light not absorbed in a single pass through the gain chip active region. The laser exhibited an output power of 33 W for a pump spot with a diameter of 0.86 mm, an output coupler of 2.5%, and a heat-sink temperature of -5°C. When the temperature of the heat-sink was increased to 15°C, the maximum output power reached a value of ∼24 W. The study reveals that the wafer fused gain mirrors have a high optical quality and good uniformity enabling scaling of the maximum emitted power with the diameter of the pump spot, i.e. at least up to the 1 mm diameter.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut7008-7013
    Sivumäärä6
    JulkaisuOptics Express
    Vuosikerta25
    Numero6
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 20 maalisk. 2017
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    !!ASJC Scopus subject areas

    • Atomic and Molecular Physics, and Optics

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin '33 W continuous output power semiconductor disk laser emitting at 1275 nm'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä