A 30-dBm class-d power amplifier with On/Off logic for an integrated tri-phasing transmitter in 28-nm CMOS

Mikko Martelius, Kari Stadius, Jerry Lemberg, Enrico Roverato, Tero Nieminen, Yury Antonov, Lauri Anttila, Mikko Valkama, Marko Kosunen, Jussi Ryynanen

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientificvertaisarvioitu

    4 Sitaatiot (Scopus)
    24 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    This paper presents an eight-unit class-D power amplifier (PA), implemented in 28-nm CMOS. The PA is designed to utilize tri-phasing modulation, which combines coarse-amplitude polar modulation with fine-resolution outphasing components. This new technique enables achieving the back-off efficiency of multilevel outphasing without linearity-degrading discontinuities in the output waveform. Each PA unit contains a cascoded output stage with a 3.6-V supply voltage, and on/off logic enabling multilevel operation controlled by low-voltage signals. The PA achieves a peak output power of 29.7 dBm with a 34.7% efficiency, and is verified to operate with aggregated LTE signals at bandwidths up to 60 MHz at 1.7-GHz carrier frequency.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoProceedings of the 2018 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, RFIC 2018
    KustantajaIEEE
    Sivut136-139
    Sivumäärä4
    ISBN (painettu)9781538645451
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 7 elok. 2018
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
    TapahtumaIEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium - Philadelphia, Yhdysvallat
    Kesto: 10 kesäk. 201812 kesäk. 2018

    Julkaisusarja

    Nimi
    ISSN (elektroninen)2375-0995

    Conference

    ConferenceIEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
    Maa/AlueYhdysvallat
    KaupunkiPhiladelphia
    Ajanjakso10/06/1812/06/18

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    !!ASJC Scopus subject areas

    • Engineering(all)

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'A 30-dBm class-d power amplifier with On/Off logic for an integrated tri-phasing transmitter in 28-nm CMOS'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä