Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Annealing of the deep recombination center in GaInP/AlGaInP quantum wells grown by solid-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Annealing of the deep recombination center in GaInP/AlGaInP quantum wells grown by solid-source molecular beam epitaxy
  • J. Dekker
  • , A. Tukiainen
  • , N. Xiang
  • , S. Orsila
  • , M. Saarinen
  • , M. Toivonen
  • , M. Pessa
  • , N. Tkachenko
  • , H. Lemmetyinen

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    39 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösAnnealing of the deep recombination center in GaInP/AlGaInP quantum wells grown by solid-source molecular beam epitaxy
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut3709-3713
    JulkaisuJournal of Applied Physics
    Vuosikerta86
    Numero7
    TilaJulkaistu - 1999
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä