Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 235-240 |
Julkaisu | IEEE Transactions on Electron Devices |
Vuosikerta | 34 |
Numero | 2 |
DOI - pysyväislinkit | |
Tila | Julkaistu - 1987 |
Julkaistu ulkoisesti | Kyllä |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä |
Anomalous Effects of Lamp Annealing in Modulation-Doped In0.53Ga 0.47As/In0.52Al 0.4gAs and Si-Implanted In0.53Ga0.47As
K.S. Seo, P.R. Berger, P.K. Bhattacharya
Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu
6
Sitaatiot
(Scopus)