Anomalous Effects of Lamp Annealing in Modulation-Doped In0.53Ga 0.47As/In0.52Al 0.4gAs and Si-Implanted In0.53Ga0.47As

K.S. Seo, P.R. Berger, P.K. Bhattacharya

Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut235-240
JulkaisuIEEE Transactions on Electron Devices
Vuosikerta34
Numero2
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1987
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Siteeraa tätä