Atomic layer epitaxy of compound semiconductor

Julkaisun otsikon käännös: Atomic layer epitaxy of compound semiconductor

Tutkimustuotos: Luku › Tieteellinen › vertaisarvioitu

Julkaisun otsikon käännös	Atomic layer epitaxy of compound semiconductor
Alkuperäiskieli	Englanti
Otsikko	Thin Film Growth Techniques For Low-Dimensional Structures
Toimittajat	R.F.C. Farrow, S.S.P. Parkin, P.J. Dobson, J.H. Neave, A.S. Arrott
Kustantaja	Springer
Sivut	221-223
ISBN (elektroninen)	978-1-4684-9145-6
ISBN (painettu)	978-1-4684-9147-0
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1007/978-1-4684-9145-6
Tila	Julkaistu - 1987
OKM-julkaisutyyppi	A3 Kirjan tai muun kokoomateoksen osa

Julkaisufoorumi-taso

@inbook{88b2a82fd5c54ed594e167cd130c04e5,

title = "Atomic layer epitaxy of compound semiconductor",

author = "M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1987",

doi = "10.1007/978-1-4684-9145-6",

language = "English",

isbn = "978-1-4684-9147-0",

series = "NATO ASI Series",

publisher = "Springer",

pages = "221--223",

editor = "R.F.C. Farrow and S.S.P. Parkin and P.J. Dobson and J.H. Neave and A.S. Arrott",

booktitle = "Thin Film Growth Techniques For Low-Dimensional Structures",

}

TY - CHAP

T1 - Atomic layer epitaxy of compound semiconductor

AU - Pessa, M.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1987

Y1 - 1987

U2 - 10.1007/978-1-4684-9145-6

DO - 10.1007/978-1-4684-9145-6

M3 - Chapter

SN - 978-1-4684-9147-0

T3 - NATO ASI Series

SP - 221

EP - 223

BT - Thin Film Growth Techniques For Low-Dimensional Structures

A2 - Farrow, R.F.C.

A2 - Parkin, S.S.P.

A2 - Dobson, P.J.

A2 - Neave, J.H.

A2 - Arrott, A.S.

PB - Springer

ER -