Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Broadband semiconductor saturable absorber mirror at 1550 nm using Burstein-Moss shifted Ga0.47In0.53As/InP distributed Bragg reflector

Julkaisun otsikon käännös: Broadband semiconductor saturable absorber mirror at 1550 nm using Burstein-Moss shifted Ga0.47In0.53As/InP distributed Bragg reflector
  • N. Xiang
  • , O. Okhotnikov
  • , A. Vainionpää
  • , M. Guina
  • , M. Pessa

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    35 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösBroadband semiconductor saturable absorber mirror at 1550 nm using Burstein-Moss shifted Ga0.47In0.53As/InP distributed Bragg reflector
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut374-375
    JulkaisuElectronics Letters
    Vuosikerta37
    Numero6
    TilaJulkaistu - 2001
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    Siteeraa tätä