Calculations of ESR parameters of the positively charged oxygen vacancy in bulk semiconductor tin dioxide

Julkaisun otsikon käännös: Calculations of ESR parameters of the positively charged oxygen vacancy in bulk semiconductor tin dioxide

N. Özcan, T. Kortelainen, V. Golovanov, T.T. Rantala, J. Vaara

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientific

    Julkaisun otsikon käännösCalculations of ESR parameters of the positively charged oxygen vacancy in bulk semiconductor tin dioxide
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko13th ICQC International Congress of Quantum Chemistry, June 22-27, 2009, Helsinki, Finland
    ToimittajatJ. Polvi
    Sivutp. 449
    TilaJulkaistu - 2009
    OKM-julkaisutyyppiB3 Vertaisarvioimaton artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä