Carbon doping of GaAs and GaInAs in solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide

Julkaisun otsikon käännös: Carbon doping of GaAs and GaInAs in solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide

Jussi-Pekka Penttinen, Tomi Leinonen, Antti Tukiainen, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientific

    Julkaisun otsikon käännösCarbon doping of GaAs and GaInAs in solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoPhysics Days 2012, the 46th annual meeting of the Finnish Physical Society, 13.-15.3.2012, Joensuu, Finland
    JulkaisupaikkaJoensuu
    KustantajaUniversity of Eastern Finland; Suomen fyysikkoseura
    Sivut1-1
    Sivumäärä1
    TilaJulkaistu - 2012
    OKM-julkaisutyyppiB3 Vertaisarvioimaton artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisusarja

    NimiPhysics Days / Fysiikan päivät : Annual Meeting of the Finnish Physical Society
    KustantajaUniversity of Eastern Finland; Suomen fyysikkoseura

    Siteeraa tätä