Characteristics and growth of stained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers

Julkaisun otsikon käännös: Characteristics and growth of stained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Characteristics and growth of stained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	293-299
Julkaisu	Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
Vuosikerta	281
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{ce56e512d8614e69a64b85793604a24c,

title = "Characteristics and growth of stained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers",

author = "G. Zhang and A. Ovtchinnikov and J. N{\"a}ppi and H. Asonen",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "281",

pages = "293--299",

journal = "Mat. Res. Soc. Symp. Proc.",

}