Characterization of GaN-based quantum nanowire and resonant tunneling diode by simulations

Tutkimustuotos: AbstraktiScientific

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2019
OKM-julkaisutyyppiEi OKM-tyyppiä
Tapahtuma19th International Conference on Numerical Simulations of Semiconductor Optoelectronic Devices - Otttawa, Kanada
Kesto: 8 heinäk. 201912 heinäk. 2019

Conference

Conference19th International Conference on Numerical Simulations of Semiconductor Optoelectronic Devices
LyhennettäNUSOD
Maa/AlueKanada
KaupunkiOtttawa
Ajanjakso8/07/1912/07/19

Siteeraa tätä