Characterization of InGaAs and InGaAsN semiconductor saturable absorber mirrors for high-power mode-locked thin-disk lasers

Julkaisun otsikon käännös: Characterization of InGaAs and InGaAsN semiconductor saturable absorber mirrors for high-power mode-locked thin-disk lasers

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    21 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösCharacterization of InGaAs and InGaAsN semiconductor saturable absorber mirrors for high-power mode-locked thin-disk lasers
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut605-612
    JulkaisuApplied Physics B-Lasers and Optics
    Vuosikerta106
    Numero3
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2012
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä