Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy

A. Nemcsics; L. Toth; L. Dobos; C. Heyn; A. Stemmann; A. Schramm; H. Welsch; W. Hansen

doi:10.1016/j.spmi.2010.07.006

Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy

A. Nemcsics, L. Toth, L. Dobos, C. Heyn, A. Stemmann, A. Schramm, H. Welsch, W. Hansen

Tutkimustuotos: Artikkeli › Scientific › vertaisarvioitu

15 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	351-357
Julkaisu	Superlattices and Microstructures
Vuosikerta	48
Numero	4
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1016/j.spmi.2010.07.006
Tila	Julkaistu - 2010
Julkaistu ulkoisesti	Kyllä
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

Jufo-taso 1

Pääsy asiakirjaan

10.1016/j.spmi.2010.07.006

Siteeraa tätä

@article{8c5abefa908d4a8f82f4200549bfb3d7,

title = "Composition of the {"}GaAs{"} quantum dot, grown by droplet epitaxy",

author = "A. Nemcsics and L. Toth and L. Dobos and C. Heyn and A. Stemmann and A. Schramm and H. Welsch and W. Hansen",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2010",

doi = "10.1016/j.spmi.2010.07.006",

language = "English",

volume = "48",

pages = "351--357",

journal = "Superlattices and Microstructures",

issn = "0749-6036",

publisher = "Elsevier",

number = "4",

}

TY - JOUR

T1 - Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy

AU - Nemcsics, A.

AU - Toth, L.

AU - Dobos, L.

AU - Heyn, C.

AU - Stemmann, A.

AU - Schramm, A.

AU - Welsch, H.

AU - Hansen, W.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2010

Y1 - 2010

U2 - 10.1016/j.spmi.2010.07.006

DO - 10.1016/j.spmi.2010.07.006

M3 - Article

SN - 0749-6036

VL - 48

SP - 351

EP - 357

JO - Superlattices and Microstructures

JF - Superlattices and Microstructures

IS - 4

ER -