Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy

A. Nemcsics, L. Toth, L. Dobos, C. Heyn, A. Stemmann, A. Schramm, H. Welsch, W. Hansen

Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

18 Sitaatiot (Scopus)
Julkaisun otsikon käännösComposition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut351-357
JulkaisuSuperlattices and Microstructures
Vuosikerta48
Numero4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2010
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

  • Jufo-taso 1

Siteeraa tätä