Concentration of interstitial and substitutional nitrogen in GaNxAs1-x

Julkaisun otsikon käännös: Concentration of interstitial and substitutional nitrogen in GaNxAs1-x

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

71 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Concentration of interstitial and substitutional nitrogen in GaNxAs1-x
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	2314-2316
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	80
Numero	13
Tila	Julkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{d94bd83f700d4e7695b95dbdfd30905e,

title = "Concentration of interstitial and substitutional nitrogen in GaNxAs1-x",

author = "T. Ahlgren and E. Vainonen-Ahlgren and J. Likonen and W. Li and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2002",

language = "English",

volume = "80",

pages = "2314--2316",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

number = "13",

}