Decreasing Defect-State Density of Al2O3/GaxIn1-xAs Device Interfaces with InOx Structures

Jaakko Mäkelä, Marjukka Tuominen, Johnny Dahl, Sari Granroth, Muhammad Yasir, Juha-Pekka Lehtiö, Rami-Roope Uusitalo, Mikhail Kuzmin, Marko Punkkinen, Pekka Laukkanen, Kalevi Kokko, Roberto Félix, Mika Lastusaari, Ville Polojärvi, Jari Lyytikäinen, Antti Tukiainen, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    4 Sitaatiot (Scopus)
    5 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    Control of defect densities at insulator/GaxIn1−xAs interfaces is essential for optimal operation of various devices like transistors and infrared detectors to suppress, for example, nonradiative recombination, Fermi-level pinning, and leakage currents. It is reported that a thin InOx interface layer is useful to limit the formation of these defects by showing effect of InOx on quantum efficiency of Ga0.45In0.55As detector and on photoluminescence of GaAs. A study of the Al2O3/GaAs interface via hard X-ray synchrotron photoelectron spectroscopy reveals chemical structure changes at the interface induced by this beneficial InOx incorporation: the InOx sheet acts as an O diffusion barrier that prevents oxidation of GaAs and concomitant As bond rupture.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli1700722
    Sivumäärä7
    JulkaisuAdvanced Materials Interfaces
    Vuosikerta4
    Numero22
    Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä19 syysk. 2017
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2017
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    !!ASJC Scopus subject areas

    • Physics and Astronomy(all)

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Decreasing Defect-State Density of Al2O3/GaxIn1-xAs Device Interfaces with InOx Structures'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä