Delta-doped Si/SiGe zero-bias backward diodes for micro-wave detection

Si Young Park, Ronghua Yu, Sung Yong Chung, Paul R. Berger, Phillip E. Thompson, Patrick Fay

Tutkimustuotos: Conference contributionScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We report the first directly-measured sensitivity performance of a zero-bias Si-based heterojunction backward detector, which is readily compatible with mainstream silicon technology. A measured sensitivity of 2376 V/W driven from a 50 Omega source at zero-bias has been obtained. A cutoff frequency of 1.8 GHz was extracted with a series resistance of 290 Omega and a junction capacitance of 0.307 pF using a small signal model established to fit the measured S-parameters for a 5 mum diameter mesa device.
AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2007 65th DRC Device Research Conference
KustantajaIEEE
Sivut153-154
Sivumäärä2
ISBN (painettu)1424411025, 9781424411023
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2007
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaDevice Research Conference - South Bend, Intia
Kesto: 18 kesäk. 200720 kesäk. 2007

Julkaisusarja

NimiDevice Research Conference
ISSN (painettu)1548-3770

Conference

ConferenceDevice Research Conference
Maa/AlueIntia
KaupunkiSouth Bend
Ajanjakso18/06/0720/06/07

!!ASJC Scopus subject areas

  • Control and Systems Engineering
  • Electrical and Electronic Engineering

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Delta-doped Si/SiGe zero-bias backward diodes for micro-wave detection'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä