Depth profiles of defects in CdTe (100) overlayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs(100)

Julkaisun otsikon käännös: Depth profiles of defects in CdTe (100) overlayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs(100)

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

23 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Depth profiles of defects in CdTe (100) overlayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs(100)
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	973-974
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	51
Numero	13
Tila	Julkaistu - 1987
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{297679077cdb4847bbb889e03e35172a,

title = "Depth profiles of defects in CdTe (100) overlayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs(100)",

author = "E. Rauhala and J. Keinonen and K. Rakennus and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1987",

language = "English",

volume = "51",

pages = "973--974",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

number = "13",

}