Dislocation-induced electron and hole levels in InAs quantum-dot Schottky diodes

Julkaisun otsikon käännös: Dislocation-induced electron and hole levels in InAs quantum-dot Schottky diodes

V. Polojärvi, A. Schramm, A. Aho, Antti Tukiainen, Markus Pessa

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    3 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösDislocation-induced electron and hole levels in InAs quantum-dot Schottky diodes
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut2610-2613
    JulkaisuPhysica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
    Vuosikerta42
    Numero10
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2010
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    Siteeraa tätä