Effects of insertion of strain-engineering Ga(In)NAs layers on optical properties of InAs/GaAs quantum dots for high-efficiency solar cells

Emil-Mihai Pavelescu, Ville Polojärvi, Andreas Schramm, Antti Tukiainen, Arto Aho, Wenxin Zhang, Janne Puustinen, Joel Salmi, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    7 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    We report study on stacked InAs/GaNAs quantum dots heterostructures with dilute nitride GaInNAs strain mediating layers embedded in GaAs p-i-n solar cell structure. The insertion of GaInNAs strain mediating layers in the vicinity of the strain compensated InAs/GaNAs quantum dots heterostructures enhances their surface density, improves and significantly red shifts their light emission. Embedding a stack of the strain-mediated InAs/GaInNAs/GaNAs quantum dots in the i region of a GaAs p-i-n solar cell leads also to a red shift of the absorption edge of the solar cells and improves the solar cell photogenerated currents at longer wavelengths beyond 1200 nm.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut177-180
    Sivumäärä4
    JulkaisuOptical Materials
    Vuosikerta52
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 1 helmik. 2016
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    !!ASJC Scopus subject areas

    • Electronic, Optical and Magnetic Materials
    • Electrical and Electronic Engineering
    • Atomic and Molecular Physics, and Optics
    • Computer Science(all)

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Effects of insertion of strain-engineering Ga(In)NAs layers on optical properties of InAs/GaAs quantum dots for high-efficiency solar cells'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä