Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiOs capping and thermal annealing on 1.3 um GaIn/GaAs quantum well structures

Julkaisun otsikon käännös: Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiOs capping and thermal annealing on 1.3 um GaIn/GaAs quantum well structures

V. Polojärvi, J. Salmi, A. Schramm, A. Tukiainen, M. Guina, J. Pakarinen, E. Arola, J. Lång, I.J. Väyrynen, P. Laukkanen

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    11 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösEffects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiOs capping and thermal annealing on 1.3 um GaIn/GaAs quantum well structures
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut111109-1-3
    Sivumäärä3
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Vuosikerta97
    Numero11, 111109
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2010
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä