Effects of rapid thermal annealing on InP layers grown on GaAs substrates by gas-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Effects of rapid thermal annealing on InP layers grown on GaAs substrates by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

10 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Effects of rapid thermal annealing on InP layers grown on GaAs substrates by gas-source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Julkaisu	Journal of Vacuum Science and Technology
Vuosikerta	B 9
Numero	176
Tila	Julkaistu - 1991
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{4c1932ac7b1d4b91b0eb60ddd8177b5a,

title = "Effects of rapid thermal annealing on InP layers grown on GaAs substrates by gas-source molecular beam epitaxy",

author = "F. Riesz and K. Rakennus and T. Hakkarainen and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1991",

language = "English",

volume = "B 9",

journal = "Journal of Vacuum Science and Technology",

number = "176",

}

TY - JOUR

T1 - Effects of rapid thermal annealing on InP layers grown on GaAs substrates by gas-source molecular beam epitaxy

AU - Riesz, F.

AU - Rakennus, K.

AU - Hakkarainen, T.

AU - Pessa, M.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1991

Y1 - 1991

M3 - Article

VL - B 9

JO - Journal of Vacuum Science and Technology

JF - Journal of Vacuum Science and Technology

IS - 176

ER -