Electronic and structural properties of GaAsN alloys and arsenic impurities in GaN

Julkaisun otsikon käännös: Electronic and structural properties of GaAsN alloys and arsenic impurities in GaN

K. Laaksonen, H.-P. Komsa, E. Arola, T.T. Rantala, R.M. Nieminen

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientific

    Julkaisun otsikon käännösElectronic and structural properties of GaAsN alloys and arsenic impurities in GaN
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoProceedings of the XL Annual Conference of the Finnish Physical Society, 9-11 March, 2006, Tampere, Finland. Tampere University of Technology. Institute of Physics. Report
    ToimittajatM. Kauranen
    JulkaisupaikkaTampere
    Sivutp. 264
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiB3 Vertaisarvioimaton artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä