Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE

Julkaisun otsikon käännös: Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

16 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	503-506
Julkaisu	Journal of Crystal Growth
Vuosikerta	320
Tila	Julkaistu - 2001
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{cd32a7ac04c7442c88da92a564464f9d,

title = "Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE",

author = "P. Laukkanen and S. Lehkonen and P. Uusimaa and M. Pessa and A. Sepp{\"a}l{\"a} and T. Ahlgren and E. Rauhala",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2001",

language = "English",

volume = "320",

pages = "503--506",

journal = "Journal of Crystal Growth",

issn = "0022-0248",

publisher = "Elsevier",

}

TY - JOUR

T1 - Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE

AU - Laukkanen, P.

AU - Lehkonen, S.

AU - Uusimaa, P.

AU - Pessa, M.

AU - Seppälä, A.

AU - Ahlgren, T.

AU - Rauhala, E.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2001

Y1 - 2001

M3 - Article

SN - 0022-0248

VL - 320

SP - 503

EP - 506

JO - Journal of Crystal Growth

JF - Journal of Crystal Growth

ER -