Fabrication of topographically microstructured titanium silicide interface for advanced photonic applications

Markku Hannula, Kimmo Lahtonen, Harri Ali-Löytty, A.A. Zakharov, Tero Isotalo, Jesse Saari, Mika Valden

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    7 Sitaatiot (Scopus)
    37 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    We present a widely scalable, high temperature post-growth annealing method for converting ultra-thin films of TiO2 grown by atomic layer deposition to topographically microstructured titanium silicide (TiSi). The photoemission electron microscopy results reveal that the transformation from TiO2 to TiSi at 950 °C proceeds via island formation. Inside the islands, TiO2 reduction and Si diffusion play important roles in the formation of the highly topographically microstructured TiSi interface with laterally nonuniform barrier height contact. This is advantageous for efficient charge transfer in Si-based heterostructures for photovoltaic and photoelectrochemical applications.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut76-81
    Sivumäärä6
    JulkaisuScripta Materialia
    Vuosikerta119
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - heinäk. 2016
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 3

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Fabrication of topographically microstructured titanium silicide interface for advanced photonic applications'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä