Faceting during GaAs quantum dot self-assembly by droplet epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Faceting during GaAs quantum dot self-assembly by droplet epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

41 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Faceting during GaAs quantum dot self-assembly by droplet epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	90
Numero	20, 203105
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1063/1.2737123
Tila	Julkaistu - 2007
Julkaistu ulkoisesti	Kyllä
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{4c0fa466127748a7a0012de8895dcbe3,

title = "Faceting during GaAs quantum dot self-assembly by droplet epitaxy",

author = "C. Heyn and A. Stemmann and A. Schramm and H. Welsch and W. Hansen and A. Nemcsics",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2007",

doi = "10.1063/1.2737123",

language = "English",

volume = "90",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

number = "20, 203105",

}

TY - JOUR

T1 - Faceting during GaAs quantum dot self-assembly by droplet epitaxy

AU - Heyn, C.

AU - Stemmann, A.

AU - Schramm, A.

AU - Welsch, H.

AU - Hansen, W.

AU - Nemcsics, A.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2007

Y1 - 2007

U2 - 10.1063/1.2737123

DO - 10.1063/1.2737123

M3 - Article

SN - 0003-6951

VL - 90

JO - Applied Physics Letters

JF - Applied Physics Letters

IS - 20, 203105

ER -