Far-field, efficiency and loss of 980nm InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH quantum well lasers

Julkaisun otsikon käännös: Far-field, efficiency and loss of 980nm InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH quantum well lasers

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

5 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Far-field, efficiency and loss of 980nm InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH quantum well lasers
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	489-491
Julkaisu	Electronics Letters
Vuosikerta	33
Numero	6
Tila	Julkaistu - 1997
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{26ec617f950749639706c4587ddc2d69,

title = "Far-field, efficiency and loss of 980nm InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH quantum well lasers",

author = "G. Zhang and A. Ovtchinnikov and J. N{\"a}ppi and K. Smekalin and P. Savolainen and M. Pessa and H. Asonen",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1997",

language = "English",

volume = "33",

pages = "489--491",

journal = "Electronics Letters",

issn = "0013-5194",

publisher = "John Wiley \& Sons",

number = "6",

}

TY - JOUR

T1 - Far-field, efficiency and loss of 980nm InGaAs/GaInAsP/GaInP SCH quantum well lasers

AU - Zhang, G.

AU - Ovtchinnikov, A.

AU - Näppi, J.

AU - Smekalin, K.

AU - Savolainen, P.

AU - Pessa, M.

AU - Asonen, H.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1997

Y1 - 1997

M3 - Article

SN - 0013-5194

VL - 33

SP - 489

EP - 491

JO - Electronics Letters

JF - Electronics Letters

IS - 6

ER -