Siirry päänavigointiin
Siirry hakuun
Siirry pääsisältöön
Tampereen yliopiston tutkimusportaali Etusivu
Tuki ja usein esitetyt kysymykset
English
Suomi
Etusivu
Profiilit
Tutkimustuotokset
Tutkimusyksiköt
Aktiviteetit
Tutkimusaineistot
Tutkimusinfrastruktuurit
Lehtileikkeet
Palkinnot
Haku asiantuntemuksen, nimen tai kytköksen perusteella
GaAs-based Dilute Nitrides: Properties and Devices
Julkaisun otsikon käännös
:
GaAs-based Dilute Nitrides: Properties and Devices
Changsi Peng
Tutkimustuotos
:
Väitöskirja
›
Collection of Articles
354
Lataukset (Pure)
Yleiskatsaus
Sormenjälki
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin 'GaAs-based Dilute Nitrides: Properties and Devices'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.
Järjestys:
Painoarvo
Aakkosjärjestyksessä
Keyphrases
InGaAs
100%
Gallium Arsenide
100%
Dilute Nitrides
100%
InGaAsN
83%
GaAsN
50%
Blue Shift
50%
Layered Structure
33%
Post-growth Annealing
33%
Performance Features
33%
Band Gap Bowing
33%
Nitride Laser
33%
Photoluminescence Intensity
33%
Molecular Beam Epitaxy
16%
Active Regions
16%
Material Properties
16%
Growth Conditions
16%
Annealing
16%
Heat Treatment
16%
Cladding Layer
16%
Spectral Range
16%
Quantum Well
16%
Heterostructure
16%
Short-range Order
16%
Atomic Diffusion
16%
Banded Structure
16%
High-temperature Treatment
16%
Hole Confinement
16%
Thermal Annealing
16%
Photoluminescence
16%
Diffusion across the Interface
16%
Non-radial
16%
Optical Telecommunication
16%
Absorption Loss
16%
Low Temperature Treatment
16%
Reduced Absorption
16%
Fiber Optical
16%
Post-growth
16%
Interdiffusion
16%
Type-II Band Alignment
16%
Burn-in
16%
Atomic Redistribution
16%
Lattice Relaxation
16%
Photoluminescence Efficiency
16%
GaAs Quantum Well
16%
Low Growth Temperature
16%
Miscibility Gap
16%
Material Performance
16%
AlGaAs
16%
Random Alloy
16%
Growth Temperature
16%
Crystal Defects
16%
Bowing Effect
16%
Engineering
Dilute Nitride
100%
Gallium Arsenide
100%
Indium Gallium Arsenide
100%
Blueshift
50%
Quantum Well
33%
Layer Structure
33%
Band Gap
33%
Alloying
16%
Low-Temperature
16%
Heat Treatment
16%
Spectral Range
16%
Cladding Layer
16%
Active Region
16%
Low Growth Temperature
16%
Heterostructures
16%
Band Structure
16%
Random Alloy
16%
Line Width
16%
Miscibility Gap
16%
Absorption Loss
16%
Interdiffusion
16%
Growth Condition
16%
Aluminium Gallium Arsenide
16%
Growth Temperature
16%
Optical Telecommunication
16%
Atomic Diffusion
16%