Gain characteristics of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers

Julkaisun otsikon käännös: Gain characteristics of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers

G. Zhang, M. Pessa, D. Ahn

    Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

    5 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösGain characteristics of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers
    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisuPhys. Stat. Sol. (b)
    Vuosikerta176
    TilaJulkaistu - 1993
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä