Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y lattice matched to GaAs

Julkaisun otsikon käännös: Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y lattice matched to GaAs

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

9 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y lattice matched to GaAs
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1128-1130
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	63
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{8e935898127544f7806e1eb1dadabc53,

title = "Gas-source molecular beam epitaxy growth of GaxIn1-xAsyP1-y lattice matched to GaAs",

author = "G. Zhang",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "63",

pages = "1128--1130",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

}