Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Gas-source molecular beam epitaxy of lattice-matched GaxIn1-xAsP1-y on GaAs over the entire composition range

Julkaisun otsikon käännös: Gas-source molecular beam epitaxy of lattice-matched GaxIn1-xAsP1-y on GaAs over the entire composition range
  • G. Zhang
  • , M. Pessa
  • , K. Hjelt
  • , H. Collan
  • , T. Tuomi

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliTieteellinen

    Julkaisun otsikon käännösGas-source molecular beam epitaxy of lattice-matched GaxIn1-xAsP1-y on GaAs over the entire composition range
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoWorkbook of the Eight International Conference on Molecular Beam Epitaxy, August 29 - September 2, 1994, Osaka, Japan (to be published in Journal of Crystal Growth)
    TilaJulkaistu - 1994
    OKM-julkaisutyyppiB3 Vertaisarvioimaton artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä