GaSb-Based Semiconductor Disk Laser With 130-nm Tuning Range at 2.5 µm

Julkaisun otsikon käännös: GaSb-Based Semiconductor Disk Laser With 130-nm Tuning Range at 2.5 µm

Jari Nikkinen, Jonna Paajaste, Riku Koskinen, Soile Suomalainen, Oleg G. Okhotnikov

Tutkimustuotos: Artikkeli › Scientific › vertaisarvioitu

9 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	GaSb-Based Semiconductor Disk Laser With 130-nm Tuning Range at 2.5 µm
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	777-779
Julkaisu	IEEE Photonics Technology Letters
Vuosikerta	23
Numero	12
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1109/LPT.2011.2122249
Tila	Julkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{fc93de98c1d04b888e317f22e1e2b8af,

title = "GaSb-Based Semiconductor Disk Laser With 130-nm Tuning Range at 2.5 µm",

author = "Jari Nikkinen and Jonna Paajaste and Riku Koskinen and Soile Suomalainen and Okhotnikov, {Oleg G.}",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2011",

doi = "10.1109/LPT.2011.2122249",

language = "English",

volume = "23",

pages = "777--779",

journal = "IEEE Photonics Technology Letters",

issn = "1041-1135",

publisher = "Institute of Electrical and Electronics Engineers",

number = "12",

}

TY - JOUR

T1 - GaSb-Based Semiconductor Disk Laser With 130-nm Tuning Range at 2.5 µm

AU - Nikkinen, Jari

AU - Paajaste, Jonna

AU - Koskinen, Riku

AU - Suomalainen, Soile

AU - Okhotnikov, Oleg G.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2011

Y1 - 2011

U2 - 10.1109/LPT.2011.2122249

DO - 10.1109/LPT.2011.2122249

M3 - Article

SN - 1041-1135

VL - 23

SP - 777

EP - 779

JO - IEEE Photonics Technology Letters

JF - IEEE Photonics Technology Letters

IS - 12

ER -