Abstrakti
We report on the fabrication and characterization of Ge solar cells on glass realized by layer transfer and epitaxial regrowth. These devices exhibit typical conversion efficiency exceeding 2.4% under AM1.5 irradiation and maximum efficiency of 3.7% under concentrated excitation. This approach enables flexible and affordable multi-junction engineering for solar energy conversion.
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Otsikko | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 |
| Sivut | 255-257 |
| Sivumäärä | 3 |
| DOI - pysyväislinkit | |
| Tila | Julkaistu - 2011 |
| OKM-julkaisutyyppi | A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa |
| Tapahtuma | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 - London, Iso-Britannia Kesto: 14 syysk. 2011 → 16 syysk. 2011 |
Conference
| Conference | 8th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2011 |
|---|---|
| Maa/Alue | Iso-Britannia |
| Kaupunki | London |
| Ajanjakso | 14/09/11 → 16/09/11 |
!!ASJC Scopus subject areas
- Electrical and Electronic Engineering
- Ceramics and Composites
- Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin 'Germanium-on-glass solar cells'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.Siteeraa tätä
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver