Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Green (In,Ga,Al)P-GaP light-emitting diodes grown on high-index GaAs surfaces

Julkaisun otsikon käännös: Green (In,Ga,Al)P-GaP light-emitting diodes grown on high-index GaAs surfaces
  • N.N. Ledentsov
  • , V.A. Shchukin
  • , Jari Lyytikäinen
  • , O. Okhotnikov
  • , Yu. Shernyakov
  • , A.S. Payusov
  • , N. Gordeev
  • , M.V. Maximov
  • , S. Schlichting
  • , F. Nippert
  • , A. Hoffmann

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    13 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösGreen (In,Ga,Al)P-GaP light-emitting diodes grown on high-index GaAs surfaces
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli181902
    Sivut1-5
    Sivumäärä5
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Vuosikerta105
    Numero18
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2014
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä