Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

17 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	101-105
Sivumäärä	5
Julkaisu	Journal of Crystal Growth
Vuosikerta	105
Tila	Julkaistu - 1990
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{031665eba4394b25b2f70807f40a3f31,

title = "Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy",

author = "A. Asonen and K. Rakennus and K. Tappura and M. Hovinen and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1990",

language = "English",

volume = "105",

pages = "101--105",

journal = "Journal of Crystal Growth",

issn = "0022-0248",

publisher = "Elsevier",

}