High-efficiency GaInP/GaAs/GaInNAs solar cells grown by combined MBE-MOCVD technique

Antti Tukiainen, Arto Aho, Gabriele Gori, Ville Polojärvi, Mariacristina Casale, Erminio Greco, Riku Isoaho, Timo Aho, Marianna Raappana, Roberta Campesato, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    27 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    Triple-junction GaInP/GaAs/GaInNAs solar cells with conversion efficiency of ~29% at AM0 are demonstrated using a combination of molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) processes. The bottom junction made of GaInNAs was first grown on a GaAs substrate by MBE and then transferred to an MOCVD system for subsequent overgrowth of the two top junctions. The process produced repeatable cell characteristics and uniform efficiency pattern over 4-inch wafers. Combining the advantages offered by MBE and MOCVD opens a new perspective for fabrication of high-efficiency tandem solar cells with three or more junctions.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    ArtikkeliPIP2784
    Sivut914-919
    Sivumäärä6
    JulkaisuProgress in Photovoltaics: Research and Applications
    Vuosikerta24
    Numero7
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 17 kesäk. 2016
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'High-efficiency GaInP/GaAs/GaInNAs solar cells grown by combined MBE-MOCVD technique'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä