High-performance GaInP/AlGaInP strained quantum well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: High-performance GaInP/AlGaInP strained quantum well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

9 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	High-performance GaInP/AlGaInP strained quantum well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1923-1926
Julkaisu	Semiconductor Science and Technology
Vuosikerta	11
Tila	Julkaistu - 1996
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{33f0d04710154991b1c344db6ebc228b,

title = "High-performance GaInP/AlGaInP strained quantum well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy",

author = "M. Toivonen and P. Savolainen and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1996",

language = "English",

volume = "11",

pages = "1923--1926",

journal = "Semiconductor Science and Technology",

issn = "0268-1242",

publisher = "IOP Publishing Ltd.",

}

TY - JOUR

T1 - High-performance GaInP/AlGaInP strained quantum well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy

AU - Toivonen, M.

AU - Savolainen, P.

AU - Pessa, M.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1996

Y1 - 1996

M3 - Article

SN - 0268-1242

VL - 11

SP - 1923

EP - 1926

JO - Semiconductor Science and Technology

JF - Semiconductor Science and Technology

ER -