High-Power 1180-nm GaInNAs DBR Laser Diodes

Antti T. Aho, Jukka Viheriälä, Ville-Markus Korpijärvi, Mervi Koskinen, Heikki Virtanen, Mathias Christensen, Topi Uusitalo, Kimmo Lahtonen, Mika Valden, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    4 Sitaatiot (Scopus)
    89 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    We report high-power 1180-nm GaInNAs distributed Bragg reflector laser diodes with and without a tapered amplifying section. The untapered and tapered components reached room temperature output powers of 655 mW and 4.04 W, respectively. The diodes exhibited narrow linewidth emission with side-mode suppression ratios in the range of 50 dB for a broad range of operating current, extending up to 2 A for the untapered component and 10 A for the tapered component. The high output power is rendered possible by the use of a high quality GaInNAs-based quantum well gain region, which allows for lower strain and better carrier confinement compared with traditional GaInAs quantum wells. The development opens new opportunities for the power scaling of frequency-doubled lasers with emission at yellow–orange wavelengths.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut2023-2026
    Sivumäärä4
    JulkaisuIEEE Photonics Technology Letters
    Vuosikerta29
    Numero23
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 1 jouluk. 2017
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    !!ASJC Scopus subject areas

    • Atomic and Molecular Physics, and Optics

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'High-Power 1180-nm GaInNAs DBR Laser Diodes'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä