High power GaInNAs VECSEL emitting at 1230/615 nm

Jussi-Pekka Penttinen, Tomi Leinonen, Ville-Markus Korpijärvi, Emmi Kantola, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientificvertaisarvioitu

    Abstrakti

    We report a frequency-doubled VECSEL operating at 1230/615 nm. The gain chip was grown by plasma-assisted MBE and comprised 10 GaInNAs quantum wells. Preliminary experiments show an output power of >8 W at 615 nm.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoThe European Conference on Lasers and Electro-Optics 2015
    KustantajaOSA
    ISBN (painettu)978-1-4673-7475-0
    TilaJulkaistu - 22 kesäk. 2015
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
    TapahtumaEUROPEAN CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS AND THE EUROPEAN QUANTUM ELECTRONICS CONFERENCE -
    Kesto: 1 tammik. 1900 → …

    Conference

    ConferenceEUROPEAN CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS AND THE EUROPEAN QUANTUM ELECTRONICS CONFERENCE
    LyhennettäCLEO/Europe-EQEC
    Ajanjakso1/01/00 → …

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 0

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'High power GaInNAs VECSEL emitting at 1230/615 nm'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä