High repetition rate 1.34 µm Nd:YVO4 microchip laser Q-switched with GaInNAs SESAM

Jari Nikkinen, Ville-Markus Korpijärvi, Iiro Leino, Antti Härkönen, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    Abstrakti

    We demonstrate 1.34-um Nd:YVO4 microchip laser Q-switched with a GaInNAs/GaAs-based SESAM. The laser produced 204 ps long pulses with 24 mW average power and 2.3-MHz repetition rate.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoThe European Conference on Lasers and Electro-Optics 2015
    KustantajaOSA
    ISBN (elektroninen)978-1-4673-7475-0
    TilaJulkaistu - 22 kesäk. 2015
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
    TapahtumaEUROPEAN CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS AND THE EUROPEAN QUANTUM ELECTRONICS CONFERENCE -
    Kesto: 1 tammik. 1900 → …

    Conference

    ConferenceEUROPEAN CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS AND THE EUROPEAN QUANTUM ELECTRONICS CONFERENCE
    LyhennettäCLEO/Europe-EQEC
    Ajanjakso1/01/00 → …

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 0

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'High repetition rate 1.34 µm Nd:YVO4 microchip laser Q-switched with GaInNAs SESAM'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä