High-temperature lasing in diode microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots

E. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, Yu S. Polubavkina, M. V. Maximov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, I. S. Mukhin, M. Guina, T. Niemi, A. E. Zhukov

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    4 Sitaatiot (Scopus)
    47 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    We demonstrate that quantum dot microdisk lasers are able to operate under continuous wave current injection at 100 °C. We also present a novel method for increasing a side mode suppression ratio in microdisk lasers.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli012056
    JulkaisuJournal of Physics: Conference Series
    Vuosikerta769
    Numero1
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 23 marrask. 2016
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    !!ASJC Scopus subject areas

    • Physics and Astronomy(all)

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'High-temperature lasing in diode microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä