Identification of an isolated arsenic antisite defect in GaAsBi

Julkaisun otsikon käännös: Identification of an isolated arsenic antisite defect in GaAsBi

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

20 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Identification of an isolated arsenic antisite defect in GaAsBi
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1-4
Sivumäärä	4
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	104
Numero	5
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1063/1.4864644
Tila	Julkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{c4361db1c2a24cb79ecddd6a95f3da56,

title = "Identification of an isolated arsenic antisite defect in GaAsBi",

author = "D. Dagnelund and J. Puustinen and M. Guina and W.M. Chen and I.A. Buyanova",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1<br/>Portfolio EDEND: 2015-01-14<br/>Publisher name: American Institute of Physics",

year = "2014",

doi = "10.1063/1.4864644",

language = "English",

volume = "104",

pages = "1--4",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

number = "5",

}

TY - JOUR

T1 - Identification of an isolated arsenic antisite defect in GaAsBi

AU - Dagnelund, D.

AU - Puustinen, J.

AU - Guina, M.

AU - Chen, W.M.

AU - Buyanova, I.A.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1<br/>Portfolio EDEND: 2015-01-14<br/>Publisher name: American Institute of Physics

PY - 2014

Y1 - 2014

U2 - 10.1063/1.4864644

DO - 10.1063/1.4864644

M3 - Article

SN - 0003-6951

VL - 104

SP - 1

EP - 4

JO - Applied Physics Letters

JF - Applied Physics Letters

IS - 5

ER -