Abstrakti
The influence of AlGaAs-based distributed Bragg reflector (DBR) on the performance of a GaInNAs n-i-p solar cells is reported. The DBR increased the short circuit current density by ~1 mA/cm2, owing to increased external quantum efficiency in the wavelength range from 1120 nm to 1240 nm. As a result of the incorporation of the DBR structure, the series resistance of the cell was increased by 4 mOhm-cm2.
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Otsikko | 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) |
| Kustantaja | IEEE |
| Sivut | 0368-0371 |
| Sivumäärä | 4 |
| ISBN (elektroninen) | 978-1-5090-2724-8 |
| DOI - pysyväislinkit | |
| Tila | Julkaistu - 21 marrask. 2016 |
| OKM-julkaisutyyppi | A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa |
| Tapahtuma | IEEE Photovoltaic Specialists Conference - , Iso-Britannia Kesto: 1 tammik. 2000 → … |
Julkaisusarja
| Nimi | |
|---|---|
| ISSN (painettu) | 0160-8371 |
Conference
| Conference | IEEE Photovoltaic Specialists Conference |
|---|---|
| Maa/Alue | Iso-Britannia |
| Ajanjakso | 1/01/00 → … |
Julkaisufoorumi-taso
- Jufo-taso 1
YK:n kestävän kehityksen tavoitteet
Tämä tuotos edistää seuraavia kestävän kehityksen tavoitteita:
Pääsy asiakirjaan
- IEEE-PVSC 2016_Tukiainen_paper_final
© 2016 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.