In situ annealing effect on the structural properties of near-surface GaInNAs/GaAs quantum wells

Julkaisun otsikon käännös: In situ annealing effect on the structural properties of near-surface GaInNAs/GaAs quantum wells

H.F. Liu, S. Karirinne, C.S. Peng, T. Jouhti, J. Konttinen, M. Pessa

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

8 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	In situ annealing effect on the structural properties of near-surface GaInNAs/GaAs quantum wells
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	171-175
Julkaisu	Journal of Crystal Growth
Vuosikerta	263
Tila	Julkaistu - 2004
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{18ef1692df904ed3a504375a39dab14d,

title = "In situ annealing effect on the structural properties of near-surface GaInNAs/GaAs quantum wells",

author = "H.F. Liu and S. Karirinne and C.S. Peng and T. Jouhti and J. Konttinen and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2004",

language = "English",

volume = "263",

pages = "171--175",

journal = "Journal of Crystal Growth",

issn = "0022-0248",

publisher = "Elsevier B.V.",

}

TY - JOUR

T1 - In situ annealing effect on the structural properties of near-surface GaInNAs/GaAs quantum wells

AU - Liu, H.F.

AU - Karirinne, S.

AU - Peng, C.S.

AU - Jouhti, T.

AU - Konttinen, J.

AU - Pessa, M.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2004

Y1 - 2004

M3 - Article

SN - 0022-0248

VL - 263

SP - 171

EP - 175

JO - Journal of Crystal Growth

JF - Journal of Crystal Growth

ER -