Incorporation of group V elements in gas-source molecular beam epitaxy of Ga(alaind. x)In(alaind.1-x)As(al.x)P(1-y) with x=0.15 and y=0.33

Julkaisun otsikon käännös: Incorporation of group V elements in gas-source molecular beam epitaxy of Ga(alaind. x)In(alaind.1-x)As(al.x)P(1-y) with x=0.15 and y=0.33

K. Tappura

    Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

    6 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösIncorporation of group V elements in gas-source molecular beam epitaxy of Ga(alaind. x)In(alaind.1-x)As(al.x)P(1-y) with x=0.15 and y=0.33
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut133-140
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Vuosikerta123
    TilaJulkaistu - 1992
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä