Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Influence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 um GaInNAs/GaAs quantum wells

Julkaisun otsikon käännös: Influence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 um GaInNAs/GaAs quantum wells
  • H.F. Liu
  • , C.S. Peng
  • , J. Likonen
  • , T. Jouhti
  • , S. Karirinne
  • , J. Konttinen
  • , M. Pessa

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    6 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösInfluence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 um GaInNAs/GaAs quantum wells
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut4102-4104
    JulkaisuJournal of Applied Physics
    Vuosikerta95
    Numero8
    TilaJulkaistu - 2004
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä