InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor grown by all solid source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor grown by all solid source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

10 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor grown by all solid source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1514-1515
Julkaisu	Electronics Letters
Vuosikerta	31
Numero	17
Tila	Julkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{3292eccd183c4e98ac910a901276712e,

title = "InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor grown by all solid source molecular beam epitaxy",

author = "M. Toivonen and M. Jalonen and A. Salokatve and J. N{\"a}ppi and P. Savolainen and M. Pessa and H. Asonen",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1995",

language = "English",

volume = "31",

pages = "1514--1515",

journal = "Electronics Letters",

issn = "0013-5194",

publisher = "John Wiley \& Sons",

number = "17",

}

TY - JOUR

T1 - InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor grown by all solid source molecular beam epitaxy

AU - Toivonen, M.

AU - Jalonen, M.

AU - Salokatve, A.

AU - Näppi, J.

AU - Savolainen, P.

AU - Pessa, M.

AU - Asonen, H.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1995

Y1 - 1995

M3 - Article

SN - 0013-5194

VL - 31

SP - 1514

EP - 1515

JO - Electronics Letters

JF - Electronics Letters

IS - 17

ER -