Interfacial oxide growth at silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface

Julkaisun otsikon käännös: Interfacial oxide growth at silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface

M.H. Hakala, A.S. Foster, J.L. Gavartin, P. Havu, M.J. Puska, R. M. Nieminen

Tutkimustuotos: ArticleScientificvertaisarvioitu

52 Sitaatiot (Scopus)
Julkaisun otsikon käännösInterfacial oxide growth at silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut7 p
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta100
Numero4, 043708
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2006
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso

  • Jufo-taso 2

Siteeraa tätä