Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

46 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	153-159
Julkaisu	Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
Vuosikerta	281
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{67597f21fe124edf861c6c206c0e054f,

title = "Interfacial quality of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy",

author = "G. Zhang and A. Ovtchinnikov and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "281",

pages = "153--159",

journal = "Mat. Res. Soc. Symp. Proc.",

}